Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP AL64e
Campinas, SP : [s.n.], 1977.
53 f. : il.
Orientador: Luiz Carlos Moura Miranda
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação...
Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento
Abstract: Not informed
Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos
Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos
Exemplares
Nº de exemplares: 2
Não existem reservas para esta obra