Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica
Rogerio C. de Oliveira
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP OL4a
Campinas, SP : [s.n.], 1989.
[81] f. : il.
Orientador: Francisco C. Prince
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resuma: Não informado
Abstract: Not informed.
Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica
Rogerio C. de Oliveira
Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica
Rogerio C. de Oliveira
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