Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/97723
Type: Artigo
Title: Raman scattering from optically pumped electron-hole plasma in insulating Gaas
Author: Vasconcellos, A. R.
Turtelli, R. S.
Castro, A. R. B. de
Abstract: We measured the single particle Raman Scattering from an optically pumped electron-hole plasma in bulk insulating GaAs, using IR radiation of 1.06 ?m to both excite and probe the plasma. The relevant theory is derived in terms of a Landau generalized quasi-particle picture and we show how many-body effects are discernible in the spectrum. The results of the experiment lend independent support to the model of two-photon absorption in GaAs and allowed us to place a lower bound of 1 × 1016 cm-3 for the threshold of saturation effects in the density of photo-generated electron-hole pairs in bulk GaAs.
We measured the single particle Raman Scattering from an optically pumped electron-hole plasma in bulk insulating GaAs, using IR radiation of 1.06 μm to both excite and probe the plasma. The relevant theory is derived in terms of a Landau generalized quasi-particle picture and we show how many-body effects are discernible in the spectrum. The results of the experiment lend independent support to the model of two-photon absorption in GaAs and allowed us to place a lower bound of 1 × 1016 cm-3 for the threshold of saturation effects in the density of photo-generated electron-hole pairs in bulk GaAs.
metadata.dc.description.abstractalternative: Nous avons mesuré l'effet Raman à particule individuel le provoqué par electrons et trous photo-excités dans l'intérieur d'un crystal isolant de GaAs, en employant de la lumière IR de longueur d'onde égale à 1,06 ?m tant pour exciter le plasma comme pour le sonder. Pour obtenir la théorie nécessaire nous avons fait usage du concept de quasi-particule de Landau généralisée et nous indiquons comme peuvent devenir visibles des effets de plusieurs corps. Les résultats de l'expérience apportent confirmation indépendente au modéle de l'absorption à deux photons dans Le GaAs et nous permettent d'établir une limite inférieure égale à 1 × 1016 cm?3 pour la manifestation d'effets de saturation dans la densité de paires electron-trou photo- excités.
Nous avons mesuré l'effet Raman à particule individuel le provoqué par electrons et trous photo-excités dans l'intérieur d'un crystal isolant de GaAs, en employant de la lumière IR de longueur d'onde égale à 1,06 μm tant pour exciter le plasma comme pour le sonder. Pour obtenir la théorie nécessaire nous avons fait usage du concept de quasi-particule de Landau généralisée et nous indiquons comme peuvent devenir visibles des effets de plusieurs corps. Les résultats de l'expérience apportent confirmation indépendente au modéle de l'absorption à deux photons dans Le GaAs et nous permettent d'établir une limite inférieure égale à 1 × 1016 cm−3 pour la manifestation d'effets de saturation dans la densité de paires electron-trou photo- excités.
Subject: Semicondutores de arsenieto de gálio
Country: Reino Unido
Editor: Pergamon Press
Citation: Solid State Communications. , v. 22, n. 2, p. 97 - 102, 1977.
Rights: fechado
Identifier DOI: 10.1016/0038-1098(77)90409-4
Address: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038109877904094
Date Issue: 1977
Appears in Collections:IFGW - Artigos e Outros Documentos

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2-s2.0-0017480788.pdf466.05 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.