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Type: Patente
Title: Processo Para Induzir, Aumentar E Controlar A Criação De Centros De Defeitos Associados à Fotosensitividade E Geração Do Segundo HarmÈnico Em Preformas De Sio2:geo2 Fabricadas Pela Técnica De Deposição Axial Em Fase Vapor (vad)
Author: Rojas Raul Fernando Cuevas
Zuzuki Carlos Kenichi
Abstract: PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORM-AS DE SiO2: GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD). A presente invenção esta relacionada com o desenvolvimento de novo processo de preparação de vidros de SiO2: GeO2 (sílica - germânia) pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), para intensificar a resposta não-linear do material. O processo é baseado no controle dos centros de defeitos que são associados às propriedades eletro - ópticas, tais como a fotosensitividade e a geração do segundo harmônico, através dos parâmetros do processo de preparação de preformas vítreas de SiO2: GeO2. Desenvolveram-se duas fases do processo para induzir, controlar e aumentar a formação destes defeitos e com isto obter um material óptico baseado no vidro de SiO2: GeO2 no qual seu comportamento não linear pode ser controlado a partir do conteúdo dos centros de defeitos introduzidos no vidro através dos parâmetros usados durante a preparação do material, reduzindo-se ao mínimo o número de passos no processo de síntese do vidro de SiO2: GeO2 com alto desempenho na geração de centros de defeitos responsáveis pelas propriedades ópticas não-lineares de segunda ordem.
Rights: aberto
Date Issue: 21-Feb-2007
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