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Type: DISSERTAÇÃO DIGITAL
Degree Level: Mestrado
Title: Eletrodos de porta MOS planar e 3D baseados em TiN obtido por evaporação de Ti e nitretação por plasma ECR
Title Alternative: TiN planar and 3D MOS gate electrodes obtained by Ti e-beam evaporation and ECR plasma nitridation
Author: Carnio, Carlos Vinícius, 1990-
Advisor: Diniz, José Alexandre, 1964-
Abstract: Resumo: O objetivo desse trabalho é a obtenção de filmes ultrafinos de nitreto de titânio (TiN), com espessuras inferiores a 10 nm, e sua utilização na fabricação de dispositivos planares, na estrutura de capacitores e na porta de transistores CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), como também na tecnologia 3D (3 Dimensões) com FinFETs (Fin Field-Effect Transistors). Esse filme é fabricado por um método alternativo, através da evaporação de camadas nanométricas (1 nm e 2 nm) de Ti por feixe de elétrons seguida por nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de nitrogênio (N2). O TiN é utilizado como metal refratário na elaboração de três diferentes eletrodos de porta: Poli-Si n+/TiN, NiSi/TiN e Al/TiN... O resumo poderá ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: The objective of this work is to obtain ultrathin titanium nitride (TiN) films with thicknesses lower than 10 nm and their use in the manufacture of planar devices, capacitor structures and the Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS), as well as 3D (3 Dimensions) technology with FinFETs (Fin Field-Effect Transistors). This film is manufactured by an alternative method, through the evaporation of nanometric layers (1 nm and 2 nm) of Ti by electron beam followed by Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasma nitriding of Nitrogen (N2). TiN is used as a refractory metal in the elaboration of three different gate electrodes: Poly-Si n + / TiN, NiSi / TiN and Al / TiN... The abstract is available with the full electronic document
Subject: Nitreto de titânio
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 2018
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

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