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dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientador: Attilio Jose Giarolapt_BR
dc.descriptionTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletricapt_BR
dc.format.extent[362]f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titleDispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicronpt_BR
dc.contributor.authorKretly, Luiz Carlos, 1950-pt_BR
dc.contributor.advisorGiarola, Attilio Jose, 1930-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computaçãopt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subjectMicroeletrônicapt_BR
dc.subjectEngenharia elétricapt_BR
dc.description.abstractResumo: Este trabalho descreve a tecnologia desenvolvida para construção de MESFETs de GaAs, (Metal Semiconductor Field Effect Transistors de Arseneto de Gálio), com geometria de porta mícron e submicron. Apresenta em detalhes todas as etapas para a construção destes dispositivos e os resultados obtidos. Mostramos que, a partir de fotolitografia convencional e procedimentos com técnicos de auto-alinhamento, é possível construir transitores MESFETs de GaAS para aplicação analógica (faixa de microondas) e com potencialidades para operação em circuitos intregrados digitais de GaAs. Transistores foram construídos usando esta técnica e as características estatísticas e dinâmicas obtidas estão de conformidade com as especificações típicas destes dispositivos, amplamente divulgados na literatura. Apresentamos, também, um amplo estudo, em forma de ¿tutorial¿, de várias alternativas tecnológicas para conturção de MESFESTs. Ainda, uma extensa análise dos modelos para MESFETs é apresentada, indicando a evolução destes, particularmente quanto à interpretação dos fenômenos ligados ao dispositivo. Uma simulação numérica é também desenvolvida para analisar o comportamento dinâmico de domínios estacionários de carga, em função da polarização de porta e de dreno para MESFETs de GaAs com porta submicron, o que permitiu identificar aprimoramentos a serem introduzidos nos modelos existentespt
dc.description.abstractAbstract: this work describes the technology developed for the construction of GaAs MESFET¿s (Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistors) with micron and submicron gate geometry. It describes in detail all the steps for the construction of these devices and the results obtained. It is shown that GaAs MESPETs, for analogical applacation in the microwave range and with potencial for operation in integrated digital circuits, may be constructed with conventional photolithography and with a self-aligment technique. Transitors were constructed using this technique and the DC and dynamic characteristics are in agreement with the specifications of typical MEFETs devices reported in the literature. A general study is also shown, in tutorial form, of the various technological alternatives for the construction of MESFETs. In addition, an extensive analysis of MESFETs models is also presented indicating their evolution, particulary with respect to the interpretation of of the phenomena associated with the divice. A numerical simulation was also developed for the analysis of the stationary charge domain behavior as a function of gate and drain bias of GaAs MEFETs with a submicron gate, thus allowing the identification of improvements to be introduced in the existing modelsen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued1992pt_BR
dc.identifier.citationKRETLY, Luiz Carlos. Dispositivos semicondutores de alta velocidade: contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron. 1992. [362]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/322512>. Acesso em: 13 jul. 2018.pt_BR
dc.description.degreelevelDoutoradopt_BR
dc.description.degreenameDoutor em Engenharia Elétricapt_BR
dc.date.defense1992-03-20T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2018-07-14T02:45:33Z-
dc.date.accessioned2018-07-14T02:45:33Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2018-07-14T02:45:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kretly_LuizCarlos_D.pdf: 12155544 bytes, checksum: 59824a78528eb857d7b3840cc8b0d958 (MD5) Previous issue date: 1992en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/322512-
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