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Type: DISSERTAÇÃO DIGITAL
Degree Level: Mestrado
Title: Desenvolvimento de amplificadores lineares em UHF usando a tecnologia LTCC
Title Alternative: UHF linear amplifiers design based on LTCC technology
Author: Heymann, Rafael Rocha, 1984-
Advisor: Hernández-Figueroa, Hugo Enrique, 1959-
Figueroa, Hugo Enrique Hernandez
Abstract: Resumo: Este trabalho consiste no projeto através de análise teórica e simulação de um amplificador de baixo ruído (low noise amplifier, LNA) e de um amplificador de potência (power amplifier, PA) com operação na faixa de frequência ultra-alta (ultra high frequency, UHF) entre 300 e 500 MHz, usando tecnologia cerâmica co-sinterizada a baixas temperaturas (low temperature co-fired ceramic, LTCC). O LNA possui dois estágios de amplificação com 23 dB de ganho cada. Entre os estágios de amplificação e na saída do amplificador, foram projetados atenuadores para evitar distorção do sinal e operação fora da região linear, de modo que o ganho final ficasse em torno de 30 dB com figura de ruído (noise figure, NF) menor que 1 dB. O PA também possui dois estágios de amplificação, em que o primeiro utiliza um transistor de potência de 5 W operando na região linear e o segundo um transistor de 50 W projetado para fornecer a máxima potência de saída. O desenvolvimento do amplificador é baseado no método quase-linear e o ganho total do amplificador é superior a 40 dB. Todos os elementos passivos utilizados para estabilização dos transistores, circuitos de polarização e redes de casamento foram embutidos no substrato com tecnologia LTCC garantindo boa compactação, além de redução de custo e de tempo de montagem

Abstract: This work describes the design and simulation of a low noise amplifier (LNA) and a power amplifier (PA) operating in ultra-high frequency (UHF), from 300 to 500 MHz, based on low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology. The LNA has two amplification stages, each of them with gain of 23 dB. Between amplifier's inter and output stages were designed attenuators to avoid signal distortion and nonlinear behaviors, thus, the final gain is around 30 dB with noise figure (NF) lower than 1 dB. The PA also has two amplification stages, where the first of them uses a 5 W power transistor operating in the linear region and the second uses a 50 W transistor designed to provide the maximum output power. The amplifier design is based on the quasi-linear method and the total amplifier gain is higher than 40 dB. All passive elements used for the transistors stabilization, the bias circuits and the matching networks were embedded in a substrate based on LTCC technology ensuring a more compact module size, as well as reducing the cost of discrete elements and their assembly time
Subject: Amplificadores de baixo ruído
Amplificadores de potência
Ceramica eletronica
Editor: [s.n.]
Date Issue: 2016
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

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