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Type: TESE
Title: Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb
Author: Marotta, Ana Maria Hildsdorf
Advisor: Parada, Nelson de Jesus, 1939-
Abstract: Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se como as correções relativísticas afetavam os resultados obtidos. Posteriormente, considerando-se aparte iônica da ligação do InSb, recalculou-se os níveis de energia partindo-se de íons de In- e Sb+. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade da introdução da ionicidade no cálculo do potencial cristalino, de correções à forma do potencial muffin-tin, bem como de um cálculo de níveis de energia autoconsistente

Abstract: Not informed.
Subject: Íons
Lasers semicondutores
Relatividade (Física)
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1975
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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