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Type: TESE
Title: Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37
Author: Shibli, Suhaila Maluf
Advisor: Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-
Abstract: Resumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas características. Para isto, é necessário determinar certos parâmetros deste material. Informações sobre o número e mobilidade dos portadores, energia do nível de impurezas e mecanismos de condução, entre outras, são obtidas medindo-se a resistividade e o efeito Hall em função da temperatura. O presente trabalho consta de dois objetivos principais: a) Montagem e operação de equipamento para medidas de efeito Hall e resistividade em função da temperatura usando líquidos criogênicos. b) Análise dos resultados através de cálculos computacionais

Abstract: The quaternary alloy InGaAsP has been used in the fabrication of optoelectronic devices which require high degrees of control as far as their properties are concerned. Thus, it becomes necessary to determine some of its characteristic parameters. Information about the number and mobility of carriers, impurity energy level and conduction mechanisms, among others, are yielded by resistivity and Hall Effect measurements as a function of temperature. The present work has two main goals: a) Setting up and dealing with the proper experimental arrangements for such measurements using cryogenic liquids. b) Analyzing experimental results using computational calculations
Subject: Semicondutores líquidos
Física
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1987
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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