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Type: TESE
Title: Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE
Author: Camilo Junior, Alexandre
Advisor: Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-
Abstract: Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP. O material crescido foi caracterizado principalmente por Efeito Hall e fotoluminescência e os resultados comparados com os disponíveis na literatura, referentes a outros tipos de sistemas de crescimento epitaxial em fase vapor. Descrevemos, também, as modificações que foram feitas no sistema com o objetivo de melhorar o aproveitamento da fosfina como fonte de fósforo e a qualidade do material obtido. Juntamente com este estudo iniciou-se a automação do sistema, usando-se um microcomputador padrão IBM PC-XT

Abstract: In this work we present a study on the growth of InP/InP with the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) technique. The VCE system used for this work was the one at Device Research Laboratory/DFA-UNICAMP. The grown material was mainly characterized by Hall effect and photoluminescence; these results were compared with those available in the literature for other vapor-phase epitaxial systems. We also describe here the modifications made to the VCE system in order to improve the utilization of PH3 as P source and the material quality. Together with this study, the automation of the system was carried out, with the use of IBM PC-XT type micro-computer
Subject: Semicondutores
Lasers
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1990
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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