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Type: TESE
Title: Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quânticos por MOCVD
Author: Machado, Aldionso Marques
Advisor: Mattos, J. C. Valladão de
Abstract: Resumo: O crescimento epitaxial por MOCVD, juntamente com técnicas de caracterização ópticas e elétricas foi utilizado para se estudar a viabilidade da substituição das camadas de GaAl0,36As por GaInP. A caracterização elétrica possibilitou a monitoração do desempenho do reator de MOCVD. A caracterização óptica possibilitou a análise das heteroestruturas de poços quânticos e a conseqüente compreensão das dificuldades experimentais envolvidas. O ordenamento espontâneo de liga no GaInP foi comprovado. Após a constatação e comprovação da contaminação por In dos poços quânticos de GaInP/GaAs, foram propostas soluções que permitiram a obtenção de heteroestruturas, com emissões de energia muito próximas das previstas teoricamente. Poços quânticos de InP/GaInAsP, com emissões de energia praticamente coincidindo com as previsões teóricas, comprovaram as contaminações por In e as diferenças de comportamento entre o TMIn e o TEGa no reator de MOCVD. A utilização do GaInP, como camadas confini1ntes em heteroestruturas de laser, com emissão em 0,98 mm, comprovou que este pode substituir com sucesso o Ga0,64Al0,36As

Abstract: Using optical and electrical characterizations. We investigated the MOCVD growth of GalnP layers and a variety of heterojunctions showing the viability of replacing Ga0.64Al0.36As by GalnP lattice matched to GaAs substrate. The measured electrical characteristics of heterojunctions has shown that it is possible to monitor the reactor growth conditions. The optical characterization was used to study quantum wells. we have shown In contamination on the GalnP/GaAs quantum wells and found a selective purge proceeding to eliminate such contamination. In addition, we have shown alloy ordering in GalnP. High-quality GalnP/GaAs has been grown. InP/GaInAsP and GalnP/GaAs high-quality quantum wells have provided significant information about the different behavior of TMln and TEGa in the MOCVD reactor . The GalnP/GaAs/GalnAs lasers electrooptical characteristics have confirmed GalnP as an advantageous material to replace GaAIAs
Subject: Físico-química
Compostos organometálicos
Cristalização
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1991
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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