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Type: TESE
Title: Caracterização de filmes finos por difração de raios-X com baixo ângulo de incidência
Author: Cavalcanti, Leide Passos
Advisor: Torriani, Iris Concepcion Linares de, 1934-
Abstract: Resumo: Este trabalho apresenta um estudo de filmes finos e ultrafinos por difração de raios-X com reflexão as simétrica e baixo ângulo de incidência através da utilização do Goniômetro de Guinier. O objetivo principal deste trabalho foi estudar de maneira geral as propriedades da difração por reflexão as simétrica com o intuito de mostrar as possibilidades da técnica na aplicação ao estudo de filmes finos. São apresentados resultados da caracterização de filmes finos de Ge nanocristalino crescidos por sputtering sobre lâmina monocristalina do mesmo material. As análises permitem identificar um perfil de profundidade com relação à textura. Tanto nestas amostras como também em filmes de Au sobre Si monocristalino foi possível subtrair completamente as reflexões do substrato. Outro aspecto interessante desta técnica abordado neste estudo é mostrado com os resultados de uma amostra de GaAs não dopado crescido epitaxialmente sobre substrato de Si monocristalino. Foi obtida uma caracterização da epitaxia sob diferentes ângulos azimutais. Além de mostrar a aplicação desta geometria no estudo dos filmes mencionados, uma grande contribuição desta tese foi, sem dúvida, a implementação da técnica no Laboratório de Cristalografia Aplicada e Raios-X do IFGW onde será usado como importante instrumento de pesquisa

Abstract: In this work we present a study of thin and ultrathin3 films by X-Ray diffraction with asymmetric ref1ection and small incidence angle using a Guinier goniometer. The main purpose of this work was to study, in general, the properties of the diffraction by asymmetric ref1ection showing alI the possibilities of this technique when applied to the study of thin films. We present results on characterization of nanocrystalline Germanium thin films deposited by sputtering on aGe substrate. The analyses allow us to identify a depth profile of the films texture. Both for these Germanium samples and for Gold thin films on monocrystalline Silicon it was possible to suppress the substrate ref1ection. Another interesting aspect of this technique is revealed by the results obtained in the study of an undoped GaAs epitaxial layer grown on a monocrystalline Silicon substrate. A characterization of the epitaxy under different azimuths was obtained. Besides showing the application of this geometry in the study of thin films, another contribution of this thesis as the implementation of the technique in the 'Laboratório de Cristalografia Aplicada e Raios-X' (IFGW) where it is going to be used as an important research tool
Subject: Raios X - Difração
Filmes finos
Raios X - Difração - Técnica
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1995
Appears in Collections:IFGW - Tese e Dissertação

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