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Type: TESE
Title: Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas
Author: Weinketz, Sieghard
Advisor: Prince, Francisco Carlos de, 1954-
Abstract: Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm. Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico

Abstract: Not informed.
Subject: Lasers semicondutores
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1988
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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