Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277740
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientador: Fernando Iikawapt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghinpt_BR
dc.format.extent[80] f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titlePropriedades ópticas de nanofios de InPpt_BR
dc.title.alternativeOptical properties of InP nanowirespt_BR
dc.contributor.authorGadret, Everton Geigerpt_BR
dc.contributor.advisorIikawa, Fernando, 1960-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectMicro-fotoluminescênciapt_BR
dc.subjectNanoestruturapt_BR
dc.subjectNanofios semicondutores - Propriedades óticaspt_BR
dc.subject.otherlanguageMicro-photoluminescenceen
dc.subject.otherlanguageNanostructuresen
dc.subject.otherlanguageSemiconductor nanowires - Optical propertiesen
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho foram estudadas as propriedades ópticas de nanofios de InP crescidos pelo método Vapor-Liquid-Solid (VLS) no sistema Chemical Beam Epitaxy (CBE) através da técnica de micro-fotoluminescência variando parâmetros de medida, tais como potência de excitação, polarização do sinal emitido e temperatura da amostra. Devido à formação de politipismo (InP nas fases cúbica, do tipo blenda de zinco (ZB), e hexagonal, do tipo wurtzita (WZ)) esta estrutura se torna interessante sob o ponto de vista das propriedades ópticas, devido às interfaces InP¿ZB/InP¿WZ do tipo II. Notamos que há poucas informações na literatura a respeito da estrutura eletrônica do InP na fase wurtzita porque esta fase só foi relatada em nanofios. Concentramos, assim, nossa investigação sobre a estrutura eletrônica de nanofios que contenham ambas as fases. Identificamos emissões ópticas dos poços quânticos tipo II em nanofios de InP assim como emissões envolvendo impurezas aceitadoras rasas e recombinação no gap do InP¿WZ. A emissão óptica dos poços quânticos tipo II é dominante a baixas temperaturas, abaixo de 100K, e está entre 1,44 e 1,46eV a 10K. O comportamento desta emissão como função da temperatura, potência de excitação e polarização da luz está de acordo com a estrutura proposta e é confirmada por imagem de microscopia eletrônica de transmissão (TEM). A emissão óptica da impureza rasa está ~ 43meV abaixo da emissão do poço quântico, valor bem próximo do carbono aceitador no InP na fase cúbica. A emissão óptica associada ao InP¿WZ em 1,49eV (10K) foi observada a temperaturas de 10K a 300K, em concordância com resultados relatados na literatura. Observamos também transição óptica relacionada a portadores localizados nas barreiras dos poços quânticos a temperaturas mais altas, acima de 150K.pt
dc.description.abstractAbstract: Optical properties of InP nanowires grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) method in a Chemical Beam Epitaxy system were investigated by using micro-photoluminescence spectroscopy varying experimental parameters such as excitation power, emitted signal polarization and sample temperature. Due to polytypism (InP in cubic, zincblende (ZB), and hexagonal, wurtzite (WZ) phases), this structure becomes interesting by the point of view of optical properties, due to type¿II InP¿ZB/InP¿WZ interfaces. We have noticed that there are few informations in the literature about electronic structures of InP in wurtzite phase, because this phase has been only reported in nanowires. We focused, thus, our investigation about electronic structure of nanowires having both structural phases. We identified optical emissions from type II quantum wells in InP nanowires as well as emissions involving shallow acceptor impurities and InP¿WZ gap recombination. The type II quantum well optical emission is dominant at low temperatures, below 100K, which is in 1,44 ¿ 1,46eV range at 10K. This emission behavior as function of temperature, excitation power and light polarization is in agreement with the proposed structure and is supported by transmission electronic microscopy (TEM) imagem. The shallow impurity emission is ~ 43meV below the quantum well emission, a value close to the carbon acceptor in InP in cubic phase. The optical emission associated to the InP¿WZ at 1,49eV (10K) was observed from temperatures of 10K to 300K, in agreement with results reported in literature. We also observed an additional optical transition related to the carrier localized at the barriers of the quantum wells at at high temperatures, above 150K.en
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued2009pt_BR
dc.identifier.citationGADRET, Everton Geiger. Propriedades ópticas de nanofios de InP. 2009. [80] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.bibliotecadigital.unicamp.br/document/?code=000468783>. Acesso em: 30 mar. 2017.pt_BR
dc.description.degreelevelMestradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísica da Matéria Condensadapt_BR
dc.description.degreenameMestre em Físicapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameMotizuke, Paulopt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameCotta, Mônica Alonsopt_BR
dc.date.available2017-03-30T20:07:57Z
dc.date.available2017-06-14T17:39:19Z-
dc.date.accessioned2017-03-30T20:07:57Z
dc.date.accessioned2017-06-14T17:39:19Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2017-03-30T20:07:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 IF60 (3).pdf: 38585296 bytes, checksum: 3da598e65313d603b738c440498d2858 (MD5) Previous issue date: 2009en
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2017-06-14T17:39:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gadret_EvertonGeiger_M.pdf: 38585296 bytes, checksum: 3da598e65313d603b738c440498d2858 (MD5) Previous issue date: 2009en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277740
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

Files in This Item:
File SizeFormat 
Gadret_EvertonGeiger_M.pdf37.68 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.