Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277636
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.identifier(Broch.)pt_BR
dc.descriptionOrientador: Daniel Mario Ugartept_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghinpt_BR
dc.format.extent89 f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeDISSERTAÇÃOpt_BR
dc.titleAnálise quantitativa de imagens de microscopia eletrônica de transmissão de resolução atômica : aplicação ao estudo da rugosidade e interdifusão em interfaces de poços quânticos de InGaP/GaAspt_BR
dc.title.alternativeQuantitative analysis of high resolution transmission electron microscopy : study of roughness and interdiffusion of interfaces of InGaP/GaAs quantum wellspt_BR
dc.contributor.authorTizei, Luiz Henrique Galvãopt_BR
dc.contributor.advisorUgarte, Daniel Mário, 1963-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectMicroscopia eletrônica de transmissão de alta resoluçãopt_BR
dc.subjectNanoestruturapt_BR
dc.subjectInterfaces (Ciências físicas)pt_BR
dc.subjectPoços quânticospt_BR
dc.subjectAnálise de imagempt_BR
dc.subject.otherlanguageHigh resolution transmission electron microscopyen
dc.subject.otherlanguageNanostructuresen
dc.subject.otherlanguageInterfaces (Physical science)en
dc.subject.otherlanguageQuantum wellsen
dc.subject.otherlanguageImage analysisen
dc.description.abstractResumo: A completa caracterização de novos fenômenos físicos e químicos em sistemas com dimensões nanométricas requer conhecimento detalhado: a) do arranjo atômico; b) de como os diferentes elementos químicos dos materiais se redistribuem nas interfaces/superfícies (rugosidade, interdifusão, etc.); e finalmente c) como os dois primeiros fatores modificam as propriedades eletrônicas do sistema. Neste contexto, o desenvolvimento de novas ferramentas com capacidades específicas e bem adaptadas à análise de nanossistemas é imprescindível; assim técnicas de caracterização e visualização com resolução espacial nanométrica devem ser consideradas uma simples necessidade rotineira. No trabalho de mestrado que apresentamos buscamos implementar técnicas que permitam caracterizar sistemas com resolução espacial atômica. Neste sentido, implementamos um método de análise quantitativa de imagens de microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução, que permite uma medida objetiva de variações da composição química. Esta medida é feita com base nas variações da distribuição de intensidades em uma imagem e fornece um mapa da composição química na imagem. Este procedimento de interpretação quantitativa foi aplicado ao estudo da morfologia de interfaces de poços quânticos de InGaP/GaAs crescidos por CBE (Chemical Beam Epitaxy). Estimamos que o limite de detecção de variações de composição química para este sistema seja 15%. Nesta análise, medimos parâmetros estruturais microscópicos que permitem a comparação da morfologia de diferentes poços. Com isso, concluímos que a interface InGaP/GaAs é mais rugosa que a GaAs/InGaP. Além disso, através da caracterização de poços quânticos com diferentes camadas interfaciais, concluímos que a adição de GaP na interface InGaP/GaAs reduz a rugosidade. Os resultados de rugosidade foram comparados com medidas de fotoluminescência a 6K buscando estabelecer uma correlação direta entre a qualidade da interface e a largura de linha de emissão do poço quântico. Esta correlação não foi estabelecida. Mostramos que modelos estruturais simples são ineficazes e que modelos mais elaborados são necessários para interpretação da largura de linha de emissão de um poço quânticopt
dc.description.abstractAbstract: The complete characterization of new physical and chemical phenomena in systems of nanometric scale requires the detailed knowledge of: a) atomic structure; b) how chemical composition distribution is redefined by interfaces and surfaces (rougheness, interdiffusion, etc.); and c) how are the electronic properties of the system influenced by those two factors. In this sense, the development of new tools with specific capabilities and well adapted to the analysis of nanosystems is essential. Therefore, characterization and imaging techniques with nanometric spatial resolution must be considered routine necessities. In this graduate work we present, we sought to implement techniques which allow the characterization of small systems with atomic spatial resolution. In this sense, we implemented a method for the qualitative analysis of high resolutions transmission electron microscopy images, which makes possible the objective measurement of chemical composition changes. This measurement is based on changes of the distribution of intensities of an image and results in a map of the chemical composition of the image. This procedure for the quantitative interpretation was used in the study of the morphology of the interfaces of InGaP/GaAs quantum wells (QW) grown by Chemical Beam Epitaxy (CBE). We estimate that our detection limit for chemical variations in this system is 15 %. In this analysis, we measured microscopic structural parameters which allow the comparison of the morphology of different QW. With this data, we concluded that the InGaP/GaAs interface is rougher that the GaAs/InGaP one. Moreover, through the characterization of QWs with different interfacial layers we concluded that the addition of a thin GaP layer reduces roughness. Morphologial results were compared with 6 K photoluminescence experiments, seeking to establish a direct correlation between interface quality and quantum well emission line width. This correlation was not established. We showed that simple structural models are inefficient and that more elaborated models are need for the quantitative interpretation of quantum wells¿ emission line widthen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued2008pt_BR
dc.identifier.citationTIZEI, Luiz Henrique Galvão. Análise quantitativa de imagens de microscopia eletrônica de transmissão de resolução atômica: aplicação ao estudo da rugosidade e interdifusão em interfaces de poços quânticos de InGaP/GaAs. 2008. 89 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277636>. Acesso em: 10 ago. 2018.pt_BR
dc.description.degreelevelMestradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísica da Matéria Condensadapt_BR
dc.description.degreenameMestre em Físicapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameRibeiro, Gilberto Medeirospt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameda, Eduardo Granado Monteiropt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameZanchet, Danielapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameIikawa, Fernandopt_BR
dc.date.defense2008-12-03T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2018-08-10T20:45:53Z-
dc.date.accessioned2018-08-10T20:45:53Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2018-08-10T20:45:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tizei_LuizHenriqueGalvao_M.pdf: 14343917 bytes, checksum: 2e436bc0147e26276c682a3c9af78ce9 (MD5) Previous issue date: 2008en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277636-
Appears in Collections:IFGW - Tese e Dissertação

Files in This Item:
File SizeFormat 
Tizei_LuizHenriqueGalvao_M.pdf14.01 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.