Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277631
Type: TESE
Title: Estrutura eletrônica de H Quimissorvido em Si (III)
Author: Medeiros, Djalma
Advisor: Silva, Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da, 1946-
Silva, Cylon E. T. Gonçalves
Abstract: Resumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular a estrutura eletrônica de superfícies

Abstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite convenient for the calculation of electronic structures of surfaces
Subject: Estrutura eletrônica
Superfícies (Física)
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1985
Appears in Collections:IFGW - Tese e Dissertação

Files in This Item:
File SizeFormat 
Medeiros_Djalma_M.pdf1.62 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.