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Type: TESE
Title: Dinâmica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlxGa1-xAs
Author: Andrade, Leandro Hostalácio Freire de
Advisor: Cruz, Carlos Henrique de Brito, 1956-
Abstract: Resumo: Estudamos a dinâmica de portadores em escala de tempo de femtossegundos em filmes de AlxGa1-xAs para composições de Al nas quais a liga se encontra próxima à transição gap direto-gap indireto. A técnica utilizada foi a espectros copia de excitação e prova, na qual o pulso de teste se trata de um contínuo cujo espectro cobre o gap das ligas estudadas e possui tipicamente 30 fs de duração. A transmissão diferencial para altas densidades de portadores fotoinjetados na banda de condução adquire considerável complexidade e resulta de um delicado equilíbrio entre o enchimento de estados na banda e efeitos de blindagem e muitos- corpos tais como blindagem pelo plasma foto excitado e renormalização do gap. Nós observamos urna correlação entre a dinâmica dos portadores na banda de condução ( dinâmica intrabanda ) e a renormalização do gap da liga. Esta correlação relaciona-se à dinâmica ultra-rápida de redistribuição de portadores fotoexcitados entre os vales G, X e L da banda de condução

Abstract: We have studied the femtosecond carrier dynamics in AlxGa1-xAs thin films in the composition range near the G-x crossover. We carried pump and probe spectroscopy using 2 eV, 150 fs-250 fs pumping pulses derived from a copper vapor amplified colliding pulse mode-locked dye laser (CPM), and white light probing, tipically with 30 fs pulses which cover in energie the band gap of the a1loys. The results of the differential transmission for high density of photoinjected carriers in the alloy conduction band can not be interpreted in terms of occupation effects alone and results from a delicate balance between occupation effects, like band filling and screening and many-particle effects like band gap renonnalization and plasma screening of the electron-hole interaction. Also we have observed a correlation between the intraband carrier dynamics and the renormalization of the alloy direct energy gap. This correlation is related to the ultrafast redistribution of the photoinjected carriers between the G and X, L valleys of the alloy conduction band
Subject: Semicondutores
Semicondutores de gap largo
Espectroscopia de laser
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1999
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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