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Type: TESE
Title: Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
Author: Borba, Gilvan Luiz
Advisor: Castro, Antonio Rubens Britto de, 1940-
Abstract: Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X e elétrons obtidos com amostras de TTF-TCNQ e NbSe3, e resultados de medidas de ruído e condutividade elétrica anômala em TaS3. O capitulo II descreve propriedades e características dos diodos luminescentes usados neste trabalho. As experiências feitas são descritas e discutidas no capitulo III. Para estimar a amplitude das ondas de densidade de carga previstas para semicondutores excitados, mediu-se a intensidade de luminescência em função da posição para várias correntes de injeção, e estudou-se o comportamento diferencial dos perfis registrados. Estabeleceram-se limites superiores da ordem de 0.1 para a "profundidade de modulação" p de ondas de densidade de carga em GaAlAs e InGaAsP. Essas medidas foram dificultadas por problemas de deterioração rápida das amostras disponíveis

Abstract: Not informed.
Subject: Semicondutores
Eletroluminescência
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1984
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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