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Type: TESE
Title: Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores
Author: Frateschi, Newton Cesário, 1962-
Advisor: Castro, Antonio Rubens Britto de, 1940-
Abstract: Resumo: Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o ganho modal num laser de heteroestrutura dupla, com perfil de índice de refração do tipo sech2, comparando os resultados com aqueles obtidos pelo "método do índice de refração efetivo". Testamos a teoria para aplicação a guias dielétricos cilíndricos, e portanto a fibras ópticas. Aplicamos a teoria no cálculo da corrente de limiar no laser "inverted gain profile" como função da energia do foton da emissão e da largura da região ativa. Discutimos soluções particulares para as equações elíticas que surgem na teoria de perturbação. Por último, baseado em resultados experimentais e nos estudos teóricos feitos neste trabalho sobre o laser "inverted gain profile" propomos um projeto de integração monolítica destes lasers num "laser-array", discutindo as características esperadas do seu funcionamento

Abstract: Not informed.
Subject: Lasers semicondutores
Perturbação (Matemática)
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1986
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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