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Type: TESE
Title: Forças de oscilador ponderadas e tempos de vida para os espectros de Si II, Si VIII e SI IX
Title Alternative: Bragg-Surface diffraction (BSD) : high resolution microprobe to study ion implanted semiconductors
Author: Orloski, Renata Villela
Advisor: Trigueiros, Antonio Gomes, 1941-
Abstract: Resumo: O objetivo principal deste trabalho é apresentar as forças de oscilador ponderadas ( gf ) e os tempos de vida para todas as transições de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para os íons de Si II, Si VIII e Si IX. A interpretação do cálculo destas duas grandezas é de importância fundamental por exemplo na astrofísica, pois o silício nos seus vários graus de ionização é um dos elementos mais comuns observados em espectros de absorção e emissão de fontes astrofisicas. Neste trabalho é feito para cada um dos íons uma compilação de todos os valores de energia e dos comprimentos de onda de todas as transições conhecidas experimentalmente, mediante estes valores calculamos os tempos de vida e as forças de oscilador ponderadas. Estes cálculos são realizados em uma aproximação relativística multiconfiguracional Hartree-Fock (HFR). Os parâmetros eletrostáticos foram otimizados por um procedimento de mínimos quadrados afim de produzir um melhor ajuste com valores experimentais dos níveis energéticos. Este método produz valores de gf que estão em melhor acordo com as intensidades observadas bem como tempos de vida mais próximos dos experimentais. Neste trabalho são apresentadas todas as linhas espectrais de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para cada um dos íons e que se resumem: -Silício uma vez ionizado, Si II, onde foram observados 146 níveis energéticos e 405 transições de dipolo elétrico na faixa de 700-9500Å; -Silício sete vezes ionizado, Si VIII, onde foram observados 73 níveis energéticos e 96 transições de dipolo elétrico na faixa de 50-1900Å e -Silício oito vezes ionizado, Si IX, onde foram observados 56 níveis energéticos e 103 transições de dipolo elétrico na faixa de 45-450Å

Abstract: The principal objective of this work is to present the weighed oscillator strengths (gf) and the lifetimes for all the eletric dipole transitions experimentally known for the íons of Si II, Si VIII VIII and Si IX. The interpretation of the calculation of these two values is for instance of fundamental importance in the astrophysics, because the silicon in your several ionization degrees is one of the most common elements observed in absorption and emission spectra of astrophysical sources. In this work it is done for each one of the ions a compilation of alI the values of energy and of wavelengths for all the transitions experimentally known, with these values we calculated the lifetimes and the weigthed oscillator strengths. These calculations are accomplished in a multiconfiguration Hartree-Fock relativistic (HFR) approach. The eletrostatic parameters were optimized by a least-square procedure in order to produce a better adjustment with experimental values of energy levels. This method produces values of gf that are in better agreement with the observed intensities as well as lifetimes closer of the experimental ones. In this work we presented all the spectral lines of electric dipole known experimentally for each one of the ions that are summarized: -Silicon one time ionized, Si II, where 146 energy levels and 405 eletric dipole transitions were observed in the range 700-9500Å; -Silicon seven times ionized, Si VIII, where 73 energy levels and 96 eletric dipole transitions were observed in the range 50-1900Å and -Silicon eight times ionized, Si IX, where 56 energy levels and 103 eletric dipole transitions were observed in the range 45-450Å
Subject: Física nuclear
Espectroscopia atômica
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 2000
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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