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Type: TESE
Title: Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs
Author: Nunes Junior, Alcides da Silva
Advisor: Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-
Mattos, Theresinha de Jesus Serra
Abstract: Resumo: Utilizamos a caracterização eletro-óptica em lasers do tipo Poço Quântico Simples, com camada ativa de 150Þ e contato de faixa de 4,0 mm de largura, pudemos comprovar várias teorias publicadas alem de observar novas características como o leisamento desde dois níveis de energia diferentes sendo que para o nível mais baixo a corrente limiar é mais alta do que para o nível de energia superior. Este fato se deve às altas perdas do dispositivo. Temos também a emissão laser com longos atrasos quando se opera sob regime pulsado e a análise de emissão dentro destes pulsos nos mostra que no início do pulso, para correntes não muito altas, temos leisamento desde o segundo nível com o guiamento feito através do ganho óptico enquanto que no final do pulso, ou para correntes mais altas, ocorre o leisamento desde o primeiro nível com o guiamento devido a mudança de comportamento do índice de refração do material. Outro fato que nos chamou a atenção foi a ocorrência de pulsos de luz bastante curtos (Q ¿ Switching) no final do pulso de corrente aplicado, quando o laser tem a camada ativa menor que 100Þ e o contato de faixa mais estreito que 5,0 mm

Abstract: In this work the electro-optical characterization techniques were used in order to understand the anomalous emission behavior observed for Single Quantum Well lasers with active region thinner than 150Þ and 4.O mm stripe width. We observed lone delay time laser emission involving the first and second energy levels of the Quantum Well and an unexpected lower threshold current for the higher energy mode. This is shown to be due to the high internal device losses. We showed also, that depending on current, and in the case of normal delay time observed for the higher energy mode, the light confinement is provided by gain guiding mechanism. For the lower energy mode which shows only abnormally lone delays, the guiding mechanism is showed to be due to a thermally induced real index waveguide. Q - Switching effect was also observed for lasers with active region thinner than 100Þ and less than 5.0 mm stripe width
Subject: Lasers semicondutores
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1989
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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