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Type: TESE
Title: Evolução temporal de excitações elementares em semicondutores fortemente fotoexcitados
Author: Algarte, Antonio Carlos Sales, 1944-
Advisor: Luzzi, Roberto, 1936-
Abstract: Resumo: É apresentado um método que permite, a partir de primeiros princípios, obter equações de transporte generalizadas com as quais é possível estudar sistemas longe do equilíbrio térmico. Usando esse método obtivemos equações de transporte não lineares que descrevem os processos irreversíveis que ocorrem em experimentos do tipo "bombeamento-prova". Conseguimos, dessa forma, analisar a termodinâmica de não equilíbrio e os processos de relaxação em semicondutores polares submetidos a altos níveis de excitação ótica. Calculamos também a função número de ocupação para diferentes modos de fonons longitudinais óticos. A equação cinética para essa função é escrita em termos dos parâmetros termodinâmicos relevantes que descrevem o estado macroscópico de não equilíbrio. Em ambos os casos os resultados obtidos são comparados com dados experimentais referentes ao GaAs

Abstract: We present a method that using a first principle theory allow us for the determination of nonlinear transport equations which describe irreversible processes in far from equilibrium systems. This method is applied to study the nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation. We also calculate the time-evolution of the number occupation function of different longitudinal optical phonon modes. The kinetic equation for this function is written in terms of the relevant thermodynamic parameters that describe the nonequilibrium macroscopic state of the system. Comparison of theory with results obtained in experiments of ultra-fast time resolved optical spectroscopy of GaAs is done, obtaining a good agreement
Subject: Semicondutores
Física do estado sólido
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1982
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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