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Type: TESE
Title: Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD
Author: Morais, Jonder
Advisor: Landers, Richard, 1946-
Landers, Richard
Abstract: Resumo: Neste trabalho propomos crescer e caracterizar estruturas semicondutoras do tipo GaAs/GalnAs e InP/GalnAs, tendo em vista o estudo das interfaces. As amostras foram crescidas por MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) a pressão atmosférica. e foram analisadas por Espectroscopia de Elétrons AUGER associada à erosão iônica. Foram feitas amostras onde empregou-se interrupções de crescimento ("growth interruptions") nas interfaces, com o objetivo de torna-las o mais abruptas possivel. Foram obtidos perfis em profundidade ( "depth profiles") destas amostras para estudar o comportamento das interfaces em função das interrupções. As análises AUGER também foram utilizadas para apontar eventuais problemas nos crescimentos. auxiliando desta forma na escolha da melhor geometria do reator. Também foram crescidos e analisados Super-redes (SL) e Poços quânticos múltiplos (MQW), bem como um dispositivo H.E.M.T. (high electron mobility transistor)

Abstract: Not informed.
Subject: Semicondutores
Análise espectral
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1991
Appears in Collections:IFGW - Dissertação e Tese

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