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dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientador: Roberto Luzzipt_BR
dc.descriptionTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghinpt_BR
dc.format.extent113 f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titleEstudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitadospt_BR
dc.contributor.authorSampaio, Antonio Jose da Costapt_BR
dc.contributor.advisorLuzzi, Roberto, 1936-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectSemicondutores - Propriedades óticaspt_BR
dc.subjectGap de energia (Física)pt_BR
dc.description.abstractResumo: Sérias dificuldades surgem quando estudamos sistemas que se encontram longe do equilíbrio termodinâmico, principalmente porque sabemos ser completamente inaplicáveis às Teorias Lineares (Resposta Linear de Kubo, etc.). Nós discutimos neste trabalho a reação de um plasma fotoexcitado num semicondutor polar de Gap direto e, conjuntamente, fazemos uma análise completa sobre a cinética de relaxação deste sistema, isto é, como o sistema evolui para o equilíbrio termodinâmico. Usamos o método estatístico de não-equilíbrio proposto por Zubarev para a matriz densidade r(t). A partir deste construímos a função Resposta dada em termos de funções de Green Termodinâmicas, cujas soluções estão acopladas ao conjunto de equações de Transporte não-lineares que descrevem a evolução do fenômeno irreversível que ocorre no sistema. Os resultados teóricos são comparados com os dados fornecidos pela experiência, obtidas com a espectroscopia ótica ultra-rápida com resolução temporal para o CdSe e o GaAs e os resultados da comparação estão em excelente arranjo. Discutimos o espectro que determina um plasma no CdSe e também discutimos os vários canais de relaxação relevante para o GaAs. Mostramos que o estudo teórico e numérico proporciona uma boa descrição dos mecanismos de perda de energia que são considerados para esta espécie de sistemaspt
dc.description.abstractAbstract: Not informeden
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued1983pt_BR
dc.identifier.citationSAMPAIO, Antonio Jose da Costa. Estudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitados. 1983. 113 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277012>. Acesso em: 29 abr. 2019.pt_BR
dc.description.degreelevelDoutoradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísicapt_BR
dc.description.degreenameDoutor em Ciênciaspt_BR
dc.date.defense1983-07-24T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2019-04-29T12:22:51Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T12:22:51Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2019-04-29T12:22:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_AntonioJosedaCosta_D.pdf: 2605293 bytes, checksum: 1a6b273715fb19378c33c661469f64dd (MD5) Previous issue date: 1983en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277012-
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