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Type: TESE
Title: Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2
Author: Braga, Edmundo da Silva, 1945-
Advisor: Mammana, Alaide Pellegrini, 1941-
Abstract: Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: Not informed
Subject: Transistores bipolares
Semicondutores
Microeletrônica
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1983
Appears in Collections:FEEC - Dissertação e Tese

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