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Type: TESE
Title: Decapagem de fotorresiste por plasma de O2 e SFG e a sua aplicação no processo de fabricação de "air bridger"
Author: Yoshioka, Ricardo Toshinori
Advisor: Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Abstract: Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a decapagem por plasma de fotorresiste num reator tipo barril, sendo que o 02 e SF6 foram utilizados como gases de processo. Este estudo foi aplicado no processo de fabricação de pontes aéreas (air bridges). No capítulo I, apresenta-se uma introdução, onde é descrita a importância da decapagem por plasma. No capítulo II mostra-se como é o ambiente de plasma para a decapagem de diversos materiais, utilizados em microeletrônica. No capítulo 111 descrevem-se as principais características que podem ser obtidas nos processos de decapagem por plasma, e no capítulo IV, mostram-se os equipamentos normalmente utilizados. Neste capítulo dá se maior enfoque no reator tipo barril ou tubular, pois foi utilizado esse tipo de aparelho. No capítulo V comentam-se sobre os principais materiais e gases utilizados e no capítulo VI é detalhado o processo da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e gases fluorados. A parte experimental do trabalho é apresentada no capítulo VII. A aplicação da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e SF6 na fabricação de pontes aéreas é mostrada no capítulo VIII. Finalmente as perpectivas e as principais conclusões são apresentadas no capítulo IX. Os principais resultados obtidos neste trabalho são: - Observou-se um aumento da taxa de decapagem do fotorresiste quando se adicionou uma pequena porcentagem do gás SF6 ao plasma de 02 (entre 2% e 5% do fluxo total). - A detecção do ponto final, da decapagem com a mistura, por espectroscopia ótica, pode ser realizada como na decapagem de fotorresiste por plasma de 02. - Foi observado no microscópio ótico que Si e Si02 não sofreram ataques perceptíveis por plasma de 02 e SF6, caracterizando uma boa seletividade. - A utilização da mistura 02/SF6 possibilita a remoção rápida do fotorresiste na fabricação de pontes aéreas sem afetar o metal (AI)

Abstract: Not informed.
Subject: Plasma (Gases ionizados)
Circuitos integrados
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1992
Appears in Collections:FEEC - Dissertação e Tese

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