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Type: TESE
Title: Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
Author: Kobayashi, Susumu
Advisor: Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-
Mammana, Carlos I. Z.
Abstract: Resumo: Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de 2,5 polegadas, aquecidos por efeito Joule em um susceptor de grafite, a temperaturas na faixa de 1150 a 1250 graus Celsius. O sistema se baseia na reação do 'Si¿¿Cl IND. 4¿ com hidrogênio que é introduzido na câmara; depois de purificado. Os gases dopantes são a fosfina a diborana e o tricloreto de fósforo de forma a se poder obter camadas dopadas tipos N ou P. O projeto foi efetuado buscando-se utilizar preferencialmente materiais disponíveis no mercado local, e todo o desenho foi efetuado buscando-se garantir a segurança do operador tendo em vista que os gases utilizados são altamente tóxicos e explosivos. O sistema, na sua forma final, mostrou-se versátil, seguro e de fácil operação, permitindo a obtenção de camadas epitaxiais de silício, com condições de temperatura na faixa de 1100 a 1350 graus Celsius, taxa de crescimento de 0,14 a 1,10 micra/min, para a vazão de hidrogênio de 9,2 litros por minuto e vazão de tetracloreto de silício com hidrogênio de 790 mililitros por minuto ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital
Subject: Epitaxia
Silício - Propriedades elétricas
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1987
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

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