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Type: DISSERTAÇÃO
Degree Level: Mestrado
Title: Simulação bidimensional de dispositivos MOSFET
Author: Araújo, Guido Costa Souza de, 1962-
Advisor: Waldman, Bernard
Abstract: Resumo: Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos
Subject: Circuitos transistorizados
Microeletrônica
Engenharia elétrica
Language: Português
Editor: [s.n.]
Citation: ARAÚJO, Guido Costa Souza de. Simulação bidimensional de dispositivos MOSFET. 1990. 1v. (paginação irregular). Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261310>. Acesso em: 13 jul. 2018.
Date Issue: 1990
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

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