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Type: TESE
Degree Level: Doutorado
Title: Deposição de filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) por plasma de RF
Author: Alves, Marco Antonio Robert, 1964-
Advisor: Braga, Edmundo da Silva, 1945-
Abstract: Resumo: Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram obtidos através .da técnica de deposição química a partir da fase de vapor assistida por plasma de RF (RFPECVD). Os filmes foram depositados em um reator de placas paralelas utilizando como fonte do gás o metano (CH4) e a mistura gasosa metano/tetrafluoreto de carbono (CHJCF4).Os filmes de a-C:H foram depositados sobre o substrato de silício visando a fabricação das heteroestruturas metal/a-C:H/silício. A caracterização elétrica dos dispositivos foi realizada levantando as características corrente-tensão (1 x V) e capacitância-tensão (C x V). Observou-se que as heteroestruturas têm propriedades retificadoras, ou seja, se comportam como um diodo de heterojunção ou diodo MIS (metal/isolador/ semicondutor)
Subject: Carbono
Filmes finos
Plasma (Gases ionizados)
Diodos
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1996
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

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