Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260511
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.identifier(Broch.)pt_BR
dc.descriptionOrientador: Carlos Alberto dos Reis Filhopt_BR
dc.descriptionTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computaçãopt_BR
dc.format.extent210, [48] p. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titleInvestigação de ruido e sensibilidade em MAGFETs e avaliação do seu emprego no controle de emissão eletromagnetica em circuitos integrados de potenciapt_BR
dc.title.alternativeInvestigation of noise and sensintivity in MAGFETs and its aplicationin the control of electromagnetic emissions in power integrated circuitspt_BR
dc.contributor.authorCastaldo, Fernando Cardosopt_BR
dc.contributor.advisorReis Filho, Carlos Alberto dos, 1950-pt_BR
dc.contributor.advisorFilho, Carlos Alberto dos Reispt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computaçãopt_BR
dc.subjectRuídopt_BR
dc.subjectCircuitos integradospt_BR
dc.subjectMicroeletrônicapt_BR
dc.subject.otherlanguageSlipt-drainen
dc.subject.otherlanguageNoiseen
dc.subject.otherlanguageMagnetic sensorsen
dc.subject.otherlanguageMagfeten
dc.description.abstractResumo: Este trabalho aborda a questão da compatibilidade eletromagnética em circuitos chaveados integrados, tipicamente conversores DC-DC dedicados. Neste sentido, propõe-se uma técnica de controle da emissão eletromagnética baseada no sensoriamento do campo magnético próximo através da utilização de transistores MOS do tipo split-drain. Desta forma, pode-se integrar conjuntamente o transistor de potência e o split-drain. O sinal produzido pelo sensor pode ser enviado a um circuito de acionamento que controla a derivada da corrente no transistor de potência, limitando, desta forma, a emissão gerada. Entretanto, o ruído associado ao transistor split-drain limita severamente a resolução do sensor. Estudos realizados indicaram a existência de uma corrente de ruído em excesso observada através de medidas de correlação de ruído, denominada corrente de ruído transversal. Esta corrente limita a relação sinal-ruído do sensor magnético, principalmente no modo diferencial, com impacto direto na resolução do sistema detector. A partir do entendimento dos mecanismos de geração de ruído investigados, circuitos detectores de campo magnético que atendam determinada resolução podem ser projetados, viabilizando-se assim, a implementação de sensores de emissão eletromagnéticapt
dc.description.abstractAbstract: This work deals with the electromagnetic compatibility (EMI) issues aimed to power integrated circuits, typically DC-DC converters. An EMI controlling approach based on magnetic near field measurements using CMOS split-drain transistors (MAGFETS) as magnetic sensors is investigated. Monolithic applications can be envisaged comprising the power circuit and the magnetic sensor. The detected signal can be sent to a slew-rate-based controlling driver that sets the electromagnetic emissions below a specific leveI. However, the electronic noise associated with the split-drain transistor affects the sensor resolution. In this sense, it was observed through correlation measurements an excess noise current associated with the split-drain transistor, called transversal noise current. A noise model taking into account the transversal noise current is proposed, allowing the implementation of magnetic sensors featuring a specific resolution aimed to electromagnetic emissions detectorsen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued2005pt_BR
dc.identifier.citationCASTALDO, Fernando Cardoso. Investigação de ruido e sensibilidade em MAGFETs e avaliação do seu emprego no controle de emissão eletromagnetica em circuitos integrados de potencia. 2005. 210, [48] p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260511>. Acesso em: 4 ago. 2018.pt_BR
dc.description.degreelevelDoutoradopt_BR
dc.description.degreedisciplineEletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônicapt_BR
dc.description.degreenameDoutor em Engenharia Elétricapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameMoraes, Wilmar Bueno dept_BR
dc.contributor.committeepersonalnamePomilio, José Antenorpt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameGermanovix, Walterpt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameMontoro, Carlos Galuppt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameFernandez, Francisco Javier Ramirezpt_BR
dc.date.defense2005-03-06T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2018-08-04T14:40:24Z-
dc.date.accessioned2018-08-04T14:40:24Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2018-08-04T14:40:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castaldo_FernandoCardoso_D.pdf: 30688674 bytes, checksum: 38148b8964d0d87ceacc943afb795fbc (MD5) Previous issue date: 2005en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260511-
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

Files in This Item:
File SizeFormat 
Castaldo_FernandoCardoso_D.pdf29.97 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.