Please use this identifier to cite or link to this item: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259948
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.identifier(Broch.)pt_BR
dc.descriptionOrientador: Vitor Baranauskaspt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computaçãopt_BR
dc.format.extent129p. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeDISSERTAÇÃOpt_BR
dc.titleEmissão de eletrons por efeito de campo em diamante policristalino dopado com boro e desenvolvimento de um novo sistema de ultra alvo vacuopt_BR
dc.title.alternativeElectron field emission from boron doped microcrystalline diamond and development of a new ultra high vacuum systempt_BR
dc.contributor.authorRoos, Mathiaspt_BR
dc.contributor.advisorBaranauskas, Vitor, 1952-2014pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computaçãopt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.subjectElétrons - Emissãopt_BR
dc.subjectDiamante artificialpt_BR
dc.subjectVacuo - Tecnologiapt_BR
dc.subject.otherlanguageField emissionen
dc.subject.otherlanguageBoron doped diamondsen
dc.subject.otherlanguageUltra high vacuum, Devicesen
dc.description.abstractResumo: Na primeira parte deste trabalho amostras de diamante poli-cristalino dopado com boro foram crescidas por deposição química a vapor assistida por filamento quente. As características de emissão de campo foram investigadas. A dopagem (NB) em amostras diferentes foi variada pelo controle da concentração B/C no fluxo de gases durante o processo de crescimento. Os campos limiares (Eth) para emissão de campo foram medidos e relacionados com as concentrações B/C usadas. Assim, a influência das bordas entre os grãos, a dopagem e a morfologia da superfície na emissão de campo foram investigadas. A saturação da dopagem foi observada para altas concentrações B/C. O transporte de cargas através das bordas entre os grãos e as propriedades locais de emissão na superfície foram modeladas por dois mecanismos que afetam a emissão de campo. Correntes de emissão de 500 nA·cm-2 foram obtidas para campos elétricos de 8 V·µm-1. Na segunda parte desta tese, a construção de um novo sistema de ultra alto vácuo (UHV) para realizar medições de emissão de campo é descrita. A construção inclui o projeto integral de uma câmara de UHV com sistema de bombas, conjunto de manipuladores, suportes mecânicos e a infraestrutura do laboratóriopt
dc.description.abstractAbstract: In the first part of this thesis, the study of field emission properties of hot filament chemical vapor deposited boron doped polycrystalline diamond is described. The doping level (NB) of different samples was varied controlling the B/C concentration in the gas feed during the growth processes. The threshold field (Eth) for electron emission in dependence on different B/C concentrations was measured and the influence of grain boundaries, doping level and surface morphology on the field emission properties was investigated. For high B/C ratios doping saturation was observed. Carrier transport through conductive grains and local emission properties of surface sites figured out to be two independent limiting effects on field emission. Emitter currents of 500 nA·cm-2 were obtained using electric fields less than 8 V·µm-1. In the second part the construction of a new UHV system for field emission measurements is described, including the complete project of a UHV chamber with pump system, manipulators and sample transfer system, mechanical supports and the infrastructural requirements of the laboratoryen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued2007pt_BR
dc.identifier.citationROOS, Mathias. Emissão de eletrons por efeito de campo em diamante policristalino dopado com boro e desenvolvimento de um novo sistema de ultra alvo vacuo. 2007. 129p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259948>. Acesso em: 11 ago. 2018.pt_BR
dc.description.degreelevelMestradopt_BR
dc.description.degreedisciplineEletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônicapt_BR
dc.description.degreenameMestre em Engenharia Elétricapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameDegasperi, Francisco Tadeupt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameTatsch, Peter Jürgenpt_BR
dc.contributor.committeepersonalnamePeterlevitz, Alfredo Carlospt_BR
dc.date.defense2007-10-12T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2018-08-11T10:03:42Z-
dc.date.accessioned2018-08-11T10:03:42Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2018-08-11T10:03:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Roos_Mathias_M.pdf: 4816472 bytes, checksum: 51a357faa29ccbd01723b1d6ca5abf27 (MD5) Previous issue date: 2007en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259948-
Appears in Collections:FEEC - Tese e Dissertação

Files in This Item:
File SizeFormat 
Roos_Mathias_M.pdf4.7 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.