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Type: TESE
Title: Projeto e implementação de amplificadores distribuidos para recepção de sinais de alta velocidade
Author: Paixão, Oswaldo Pedreira
Advisor: Souza, Rui Fragassi, 1946-
Abstract: Resumo: Este trabalho apresenta o projeto e as técnicas de implementação de amplificadores distribuídos. para sua utilização em sistemas avançados de microondas, que operam com sinais de alta velocidade. Inicialmente, foram obtidas expressões aproximadas para o cálculo do ganho de potência e do fator de ruído destes amplificadores, que permitem avaliar o seu desempenho em freqüência e a compreender o seu mecanismo de funcionamento. Para uma análise mais rigorosa, foi desenvolvido o programa ANA, que realiza a análise nodal de CIMs lineares no domínio da freqüência, incluindo na sua análise, o efeito do ruído. O projeto final dos dois circuitos selecionados (AD710 e AD321), que empregam um arranjo unidimensional de 4 FETs, foram obtidos via otimização, utilizando o programa OTIMO. Dois amplificadores foram montados, na forma híbrida, utilizando transistores tipo MESFET de GaAs (AD710 ) e HEMT de AlGaAs/GaAs (AD321 ). Em ambos os circuitos foram utilizados substratos de alumina para a realização das linhas de microfita e para a deposição dos resistores de filme fino (NiCr). Nos circuitos do AD710 e AD321 foram medidos os parâmetros de espalhamento, com os resultados experimentais próximos dos previstos na teoria

Abstract: This work presents the design and implementation of hybrid distributed amplifiers, intendedfor advanced microwave systems that work with high velocity digital signals. Initially, approximated expressions for the computation of power gain and noise figure of these amplifiers were developed. Such equations allow the investigation of the frequency behavior and gives some insight about the working mechanism of distributed amplifiers in general. To improve the analysis a CAD program, called ANA, was developed which makes a nodal analysis of linear MICS in the frequency domain, including the noise effect. The final design of the two amplifiers investigated (AD710 and AD321), using a unidimensional array of four FETs, were obtained through an optimization program called OTIMO. Two distributed amplifiers were implemented, in hybrid structure, using GaAs MESFETs (AD710) and AlGaAs/GaAs HEMTs (AD321) transistors. Both circuits used alumina substrates to manufacture microstrip lines and NiCr thin film deposited resistors. The scaterring parameters of such circuits were measured, with good agreement with theoretical prediction
Subject: Circuitos integrados de microondas
Circuitos de microondas
Language: Português
Editor: [s.n.]
Date Issue: 1991
Appears in Collections:FEEC - Dissertação e Tese

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