Browsing by Subject Arsenieto de gálio

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2012Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAsGirardi, Tiago Illipronti, 1986-Iikawa, Fernando, 1960-DISSERTAÇÃO
1999Projeto de fabricação de HBTsRedolfi, Augusto CesarSwart, Jacobus Willibrordus, 1950-TESE
2010Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com MnGonzález Balanta, Miguel Ángel, 1985-Brasil, Maria José Santos Pompeu, 1961-DISSERTAÇÃO
2001Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBECastro, Maria Priscila Pessanha deFrateschi, Newton Cesário, 1962-TESE
2007Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECRZoccal, Leonardo BreseghelloDiniz, José Alexandre, 1964-TESE
1997Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE)Bettini, JeffersonCarvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-DISSERTAÇÃO
1998Projeto de um circuito integrado divisor de frequencias/contador de decada em tecnologia GaAs-familia DCFL - para operação com clock na faixa de 1 GHzSouza, Daniel Cardoso deKretly, Luiz Carlos, 1950-DISSERTAÇÃO
1998Projeto de um amplificador de transimpedancia monolitico implementado em GaAs com CAG para recepção em comunicações opticasCorso, ValentinoReis Filho, Carlos Alberto dos, 1950-; Filho, Carlos Alberto dos ReisDISSERTAÇÃO
2000Sensor Hall de GaAs por implantação de ionsMaricato, Efeso Francisco de MeloSwart, Jacobus Willibrordus, 1950-DISSERTAÇÃO
2003Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimicoBettini, JeffersonCarvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-TESE
2005Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBTGoes, Marcos Augusto deSwart, Jacobus Willibrordus, 1950-DISSERTAÇÃO
2000Circuito multiplexador de 4 bits, logica DCFL, tecnologia de GaAs, aplicado em comunicação de dados, numa rede SONET/SDHSilva Junior, Ivo CarvalhoKretly, Luiz Carlos, 1950-TESE
1979LO phonon effective temperature in highly excited GaAsCastro, A. R. B. de; Turtelli, R. S.-Artigo
2021High-frequency GaAs optomechanical bullseye resonatorCarvalho, N. C.; Benevides, R.; Ménard, M.; Wiederhecker, G. S.; Frateschi, N. C.; Alegre, T. P. M.-Artigo
2015Interaction between lamellar twinning and catalyst dynamics in spontaneous core-shell InGaP nanowiresOliveira, D. S.; Tizei, L. H. G.; Li, A.; Vasconcelos, T. L.; Senna, C. A.; Archanjo, B. S.; Ugarte, D.; Cotta, M. A.-Artigo
2012Optical emission of InAs nanowiresMöller, M.; Lima Jr., M. M. de; Cantarero, A.; Chiaramonte, T.; Cotta, M. A.; Iikawa, F.-Artigo
2012Magneto-optical investigation of two-dimensional gases in n-type resonant tunneling diodesGaleti, H. V. A.; Gobato, Y. G.; Gordo, V. O.; Santos, L. F. dos; Brasil, M. J. S. P.; López-Richard, V.; Marques, G. E.; Orlita, M.; Kunc, J.; Maude, D. K.; Henini, M.; Airey, R. J.-Artigo
2012Anomalous optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells grown by molecular beam epitaxyRodrigues, D. H.; Brasil, M. J. S. P.; Gobato, Y. G.; Holgado, D. P. A.; Marques, G. E.; Henini, M.-Artigo
2012Effect of a GaAsP shell on the optical properties of self-catalyzed GaAs nanowires grown on siliconCouto Jr., O. D. D.; Sercombe, D.; Puebla, J.; Otubo, L.; Luxmoore, I. J.; Sich, M.; Elliott, T. J.; Chekhovich, E. A.; Wilson, L. R.; Skolnick, M. S.; Liu, H. Y.; Tartakovskii, A. I.-Artigo
2016Enhancement of carrier lifetimes in type-II quantum dot/quantum well hybrid structuresCouto Jr., O. D. D.; Almeida, P. T. de; Santos, G. E. dos; Balanta, M. A. G.; Andriolo, H. F.; Brum, J. A.; Brasil, M. J. S. P.; Iikawa, F.; Liang, B. L.; Huffaker, D. L.-Artigo