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1989Estudo dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZnOliveira, Jose Bras Barreto deGalverani, Jose ClaudioTESE
1979Estudo da aplicação de pressão em semicondutores pelo método SCF-XGuimarães, Paulo SergioParada, Nelson de Jesus, 1939-TESE
1987Fundamentação mecânico-estatística da teoria de estruturas dissipativas em matéria condensadaCastro, Tania Tome Martins deLuzzi, Roberto, 1936-TESE
1991Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticosLoural, Maria Salete SartorioFurtado, Mario Tosi; Furtado, Mari TosiTESE
1991Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápidoLujan, Alexandre SansigoloPrince, Francisco Carlos de, 1954-TESE
2007Formação de ligas em nanocristais epitaxiais de GeSi:Si (001)Leite, Marina SoaresRibeiro, Gilberto MedeirosTESE
1980Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortesNassar, Antonio BoulhosaMiranda, Luiz Carlos Moura, 1943-; Miranda, Luis Carlos de M.TESE
1995Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênioLaureto, EdsonMeneses, Eliermes Arraes, 1943-TESE
1991Nitrogênio como um dopante em filmes de a-Ge: HZanatta, Antonio RicardoChambouleyron, Ivan Emilio, 1937-; Chambouleyron, IvanTESE
1991Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSxBarros, Miriam Regina Xavier deCruz, Carlos Henrique de Brito, 1956-TESE