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dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientadores: Luiz Fernando Zagonel, Mônica Alonso Cottapt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.format.extent68 f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titleSíntese e caracterização estrutural de nanofios de GaPpt_BR
dc.title.alternativeSynthesis and structural characterization of GaP nanowirespt_BR
dc.contributor.authorSilva, Bruno César da, 1988-pt_BR
dc.contributor.advisorZagonel, Luiz Fernando, 1979-pt_BR
dc.contributor.coadvisorCotta, Mônica Alonso, 1963-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectNanofios III-Vpt_BR
dc.subjectVapor-líquido-sólidopt_BR
dc.subjectEpitaxiapt_BR
dc.subject.otherlanguageIII-V Nanowiresen
dc.subject.otherlanguageVapor-liquid-soliden
dc.subject.otherlanguageEpitaxyen
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho, estudamos a dinâmica de crescimento de nanofios de GaP crescidos pelo método VLS (Vapor-Líquido-Sólido) via Epitaxia por Feixe Químico (CBE), usando nanopartículas catalisadoras de ouro. Investigando o efeito da temperatura na dinâmica de crescimento de nanofios de GaP encontramos uma grande variedade de nanofios em cada amostra, caracterizadas por diferentes direções de crescimento e/ou morfologias, apresentando sempre uma população dominante. Com o aumento da temperatura (510°C) observamos uma transição drástica na morfologia da população dominante, de nanofios típicos para uma nova e inesperada morfologia assimétrica. Mostramos ainda que modificando o tamanho da nanopartícula catalisadora de 5nm para 20nm os nanofios assimétricos ainda são favorecidos a alta temperatura. Procurando compreender o mecanismo de formação dos nanofios assimétricos, mostramos que estas estruturas cristalizam-se na fase WZ, com baixa densidade de defeitos, comparadas às outras amostras. Além disso, mostramos que a assimetria destes nanofios não é oriunda de diferenças de polaridade nas facetas laterais ou formação de defeitos cristalográficos que pudessem modificar a dinâmica de crescimento de modo a levar à morfologia assimétrica. Desta forma, propomos um cenário de crescimento simplificado, no qual a estrutura assimétrica é formada pela combinação do crescimento de nanofios ordinários, via VLS, junto com estruturas que crescem livre de catalizador via mecanismo VS (Vapor-Sólido), estas duas estruturas então se juntam, transferindo material e dando lugar a facetas de menor energia, resultando na formação da estrutura assimétrica. Por fim, medidas de fotoluminescência mostram a emissão característica no verde do GaP WZ para os nanofios assimétricos, mesmo com a estrutura não estando passivada, confirmando a boa qualidade cristalina das nossas amostraspt
dc.description.abstractAbstract: In this work, we study the growth dynamics of GaP nanowires grown by VLS (Vapor-Liquid-Solid) method via Chemical Beam Epitaxy (CBE) using gold nanoparticles as catalyst. Investigating the effect of temperature on the growth dynamics of GaP nanowires we find a wide variety of nanowires in each sample, characterized by different growth directions and/or morphologies, always having a dominant population. With increasing temperature (510°C), we observed a dramatic transition in the morphology of the dominant population of typical nanowires to a new and unexpected asymmetric morphology. We also show that modifying the size of the catalyst nanoparticle from 5nm to 20mn the asymmetric nanowires are still favored at high temperature. Looking forward to understand the mechanism of formation of the asymmetric nanowires, we show that these structures crystallize in the WZ phase with low defect density when compared to the other samples. Furthermore, we show that the asymmetry of these nanowires is not derived from differences in polarity in side facets or the formation of crystallographic defects which might modify the growth dynamics so as to bring the asymmetric morphology. Thus, we propose a simplified growth scenario, in which the asymmetric structure is formed by growth combination of ordinary nanowires via VLS, along with structures that grow catalyst-free via VS (vapor-solid) mechanism, these two structures joined and by transferring materials facets with lower energy facets appear, resulting in the formation of asymmetrical structure. Finally, photoluminescence measurements show the characteristic emission in the green of WZ GaP for asymmetric nanowires, even with no passivation, which confirms the good crystalline quality of our samplesen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued2016pt_BR
dc.identifier.citationSILVA, Bruno César da. Síntese e caracterização estrutural de nanofios de GaP. 2016. 68 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP.pt_BR
dc.description.degreelevelMestradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísicapt_BR
dc.description.degreenameMestre em Físicapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameBaptista, Daniel Lorscheitterpt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameCordeiro, Cristiano Monteiro de Barrospt_BR
dc.date.defense2016-04-07T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2018-06-12T19:26:52Z-
dc.date.accessioned2018-06-12T19:26:52Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2018-06-12T19:26:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_BrunoCesarDa_M.pdf: 3896391 bytes, checksum: 02a6cadcf24734bcd669293dc473b75e (MD5) Previous issue date: 2016en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/331662-
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