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1981Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 umPrince, Francisco Carlos de, 1954-Patel, Navin Bhailalbhai, 1942-; Patel, Navin B.TESE
1980Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutorPudenzi, Márcio Alberto Araujo, 1952-Campos, Marcio D'Olne, 1943-TESE
1985Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAsRosa, Celso Pereira TomeMattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-DISSERTAÇÃO
1981Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodoZampronio, Marlete AparecidaSunak, Harish Ram DassDISSERTAÇÃO
1988Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturasWeinketz, SieghardPrince, Francisco Carlos de, 1954-DISSERTAÇÃO
1989Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasersMorosini, Maria Beny Zakia, 1950-Patel, Navin Bhailalbhai, 1942-; Patel, Navin B.TESE
1980Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperaturaMattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-Patel, Navin Bhailalbhai, 1942-; Patel, Navin B.TESE
1989Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAsNunes Junior, Alcides da SilvaMattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-; Mattos, Theresinha de Jesus SerraDISSERTAÇÃO
1986Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutoresFrateschi, Newton Cesário, 1962-Castro, Antonio Rubens Britto de, 1940-DISSERTAÇÃO
1989Estudo de fenômenos ultra-rápidosMiranda, Rubens da SilvaScarparo, Marco Antonio Fiori, 1941-TESE